SiC製品加工
当社では、SiC製品の各種受託加工を承っております。
特注仕様のご注文はもちろん、お客様の在庫基板をご希望の形状に加工することも可能です。
対応可能な加工内容につきましては、下記をご覧ください。
BG加工（薄化）
バックグラインド（BG）加工による、SiCウエハの薄化処理
加工内容
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標準厚350μmから最小100μmまで対応
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切削面（Si面・C面）の指定が可能
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薄化後の研磨・面取り・洗浄・検査まで一括対応
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1枚から試作・評価用途にも対応
試作から量産まで、ご希望の用途に応じた加工仕様に、対応いたします。
成膜
SiCウエハ・角基板の片面または両面に、各種薄膜を形成
加工内容
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対応膜種：金属膜：Au,Ag,Cu,Pt,Ti,Ni,Mo,Al,Cr 等
機能性薄膜：PI 等
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成形方法：スパッタ方式，蒸着方式
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膜厚：0.05μm～10μm
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その他の膜種：酸化膜，ポリシリ膜等
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1枚から試作・評価用途にも対応
両面にそれぞれ異なる厚み、異なる金膜種での成膜等も可能です。
上記以外でもどうぞお気軽にご相談ください。
ダイシング
SiCウエハを、ご希望のサイズ・形状にダイシング
加工内容
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最小3mm角～10×20mm等の長方形にも対応
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MOSFETなどのデバイス向けチップ加工にも対応
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基板の材質・厚みにより対応サイズが異なります
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１枚のウエハから、異なる複数の大きさを切り出す加工も可能
ダイシングしたチップは、チップトレイや、キャリアタック等に移載した状態での納品となります。
試験用等であればダイシングテープへ貼り付けた状態での納品により、費用を抑えることも可能です。
上記以外の大きさ、形をご希望の際も、お気軽にご相談ください。
レーザー加工
レーザーマイクロジェットによるダウンサイズ加工や、複雑形状への切り出し
加工内容
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ブレードダイシングでは難しい形状の加工が可能
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ブレードを使用しないため、カーフロスを低減
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円形・異形状への加工に対応
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ダウンサイズ加工に対応
加工例
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6インチSiCウエハから2インチSiCウエハへの切り出し
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レーザー刻印による、Si面・C面識別用の記号・文字のマーキング
ブレードダイシングでは対応が難しい形状や加工についても、レーザー加工で対応できる場合があります。まずはお気軽にご相談ください。
BG・成膜・ダイシング等、複数の加工を行うことも可能です。
上記の内容以外でも、お気軽にご相談ください。
