SiC製品加工
当社では、SiC製品の各種受託加工を承っております。
特注仕様のご注文はもちろん、お客様の在庫基板をご希望の形状に加工することも可能です。
対応可能な加工内容につきましては、下記をご覧ください。
BG加工（薄化）
バックグラインド（BG）加工により、SiCウエハを用途に応じた厚さまで薄化します。
試作から量産まで、ご希望の用途に応じた加工仕様に、対応いたします。
最小厚100μmへの加工まで対応
切削面（Si面・C面）の指定が可能
薄化後の研磨・面取り・洗浄・検査まで一括対応
1枚から試作・評価用途にも対応
成膜
SiCウエハ・角基板の片面または両面に、各種薄膜を形成します。
両面にそれぞれ異なる厚み、異なる金膜種での成膜等も可能です。
対応膜種
金属膜：Au,Ag,Cu,Pt,Ti,Ni,Mo,Al,Cr 等
機能性薄膜：PI 等
成形方法：スパッタ方式，蒸着方式
膜厚：0.05μm～10μm
その他の膜種：酸化膜，ポリシリ膜等
1枚から試作・評価用途にも対応
ダイシング
SiCウエハをご希望のサイズのチップへ、ダイシング加工いたします。
ダイシング後は、チップトレイやキャリアタックへ移載した状態で納品します。試験用途では、ダイシングテープ貼付けのまま納品し、費用を抑えることも可能です。
最小3mm角～から対応
10×20mmなどの四角に対応
MOSFET等、デバイス向けチップ加工に対応
材質・厚みに応じたサイズで加工可能
1枚のウエハから複数サイズの切り出しに対応
レーザー加工
レーザーマイクロジェットにより、ウエハのダウンサイズ加工や複雑形状への切り出しを行います。
ブレードダイシングでは対応が難しい形状・加工にも対応可能です。
ブレードを使用しないためカーフロスを低減
円形・異形状への加工に対応
ダウンサイズ加工に対応
加工例
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ダウンサイズ（6インチ→2インチ）
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Si面/C面 識別用の記号・文字のレーザー刻印
BG・成膜・ダイシングなど、複数の加工を組み合わせた一貫対応も可能です。
加工内容やご要望に応じて最適なご提案 をいたしますので、掲載内容以外につきましてもお気軽にご相談ください。
