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4H-N。6H-N。3C-N。ポリタイプ
炭化ケイ素(SiC)は、単結晶でありながら、Si原子とC原子お互いの位置の組み合わせの違いにより、種々の結晶構造(ポリタイプという)が存在する。
車、白物家電などのパワー半導体においては、4H-Nが使用される。その他として、6H-N、3C-Nが存在する。たとえば、4H-NにおけるHは六方晶(Hexagonal)を意味する。
-NはN型原子、多くは窒素を混入させて導電性をもたせたタイプを意味する。3CのCはCubic(立方晶)を意味する。
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欠陥の種類

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オフ角度
SiCウエハは、SiCインゴットを多数枚にスライス切断して得られます。通常、生産コストの観点から1つのSiCインゴットから多数枚のSiCウエハを得るためには、SiC切断面はC面(0001)となるように製造されることが理想である。C面(0001)に対して切断する際の角度をオフ角度という。左記の場合にはオフ角度は0度OFFであるという。しかし、現状は、SiCウエハの上に形成されるエピタキシャルSiC膜を形成する際には、オフ角度が0度の場合のSiCウエハでは、エピタキシャル膜中に結晶欠陥が多くなってしまう。そこで、対策として1度~4度程度の角度をもったSiCウエハを使用することで、結晶欠陥が少ないエピタキシャル膜を形成している。
