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みなさまからよく寄せられる質問にお答えしています。
SiCウエハ、インゴットに関するご質問と回答
①SiCウエハの表裏の判断方法
・裏面オリフラ側にウエハIDがレーザーマーキングされております。
②ウエハ梱包状態
・シングルウエハケースにて1枚ずつ梱包されております。
③8インチSiCウエハについて
・現在メーカーにて開発中です。
④4°オフとは
・エピタキシャル成長がしやすいように、ウエハの結晶方位を4°傾けております。
⑤ポリタイプ3C、6Hは販売しておりますか
・4Hの販売に限ります。
⑥グレードとは
・結晶欠陥の1つのマイクロパイプの数量によってグレードが分かれております。プライム、プロダクション、ダミーグレード。
GaN基盤に関するご質問と回答
①梱包状態はどのようになっていますか
・ウエハはシングルウエハケース、チップはチップケースに梱包されております。
②テンプレートとは
・サファイアウエハの上に単結晶GaNを積層しております。
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