結晶SiCウエハ（SiC基板）は、昨今、パワー半導体、高輝度LED、高パワーレーザの用途で市場拡大が確実視されております。
では、SiCウエハとは何か。　SiCウエハの材料を構成する炭化ケイ素（SiC）は単結晶でありながら、Si原子とC原子が御互いの位置の組み合わせの違いにより、種々の結晶構造（ポリタイプという）が存在します。
自動車、家電、エネルギー発電などに使用されるパワー半導体においては、主に4H―Nタイプが使用されます。その他として6H―Nや３C－Nなどがあります。4H－NにおけるHは六方晶（Hexagonal）を意味します。－NはN型原子、多くは窒素を材料中に混入させて導電性をもたせたタイプを意味します。3CのCは立方晶（Cubic）を意味します。
SiCウエハは、現在主に使用されているSi(シリコン)材料に比較して、耐高温、耐高電圧という特徴がある為、何百度もある厳しい高温環境下に設置されても、極めて優れた省電力、高速度のスイッチング特性を発揮します。詳しくは単結晶SiC用語辞典を御覧ください。